طراحی تقویت کننده کم نویز (LNA) 5G NR

هدف اصلی، بررسی و ارزیابی عملکرد و کاربرد LNAها در مدارهای فرکانس‌های بالا و در حوزه 5G است. در این پایان‌نامه، از تکنولوژی توان GaAs-pHEMT با حداقل اندازه 0.15um و با فرکانس قطع90GHz استفاده شده است. نتایج نشان می دهد که یک تقویت کننده کم نویز در حدوده فرکانسی 3-5GHzبا بهره 20±1dB و input and output insertion loss بهتر ازعدد -10dB و عدد نویز کمتر از 1.2dB در کل پهنای باند خواهیم داشت. نقطه فشردگی (P1dB ) نیز در کل پهنای باند بهتر از 18dBm است و توان مصرفی کمتر 350mW با ولتاژ تغذیه 5 ولت است. این تقویت کننده دو طبقه و از فیدبک منفی RLC در گیت – درین هر طبقه جهت پایداری بهتر استفاده می کند. ابعاد این تراشه در حدود 1.5×2mm است